Целевая DRAM, чтобы согреться! Микрон 908 млрд юаней в Тайване расширение завода

26 августа, по сообщению Taiwan Media Economic Daily, Micron потратит 400 млрд. NT $ (около 90,8 млрд. Юаней) на строительство двух заводов рядом с существующим тайваньским заводом для производства DRAM для следующего поколения новейшего процесса.

Инвестиционный план Micron состоит в том, чтобы построить два завода A4 и A5 рядом с текущим заводом Zhongke. Среди них, завод A3 будет завершен в августе следующего года, а последняя пробная версия 1z будет запущена в четвертом квартале следующего года, тем самым сокращая разрыв с Samsung; На втором этапе А5 завод будет постепенно наращивать производственные мощности в соответствии со спросом на рынке, и целевой ежемесячный объем производства составит 60 000 штук.

Согласно новостям Тайваня, инвестиции Micron станут вторым по величине инвестиционным случаем в Тайване (после расширения TSMC и Nanke). Если это иностранный, это самый большой инвестиционный случай.

Тайваньский филиал подтвердил новость о том, что Micron расширила свой завод A3 в Тайчжуне и вступила в проект строительства. Понятно, что Micron потратил много денег на расширение фабрики в период холодного ветра, главным образом потому, что оптимизм в отношении 5G будет стимулировать развитие искусственного интеллекта, Интернета вещей и приложений для автопилота, стимулируя спрос на рост DRAM и ранний бизнес слотов для карт. возможностей.

Недавно также было завершено расширение завода Micron в Сингапуре в феврале 2010 года. Хотя он не увеличил свои производственные мощности, он позволит Micron продолжать выпускать многослойные продукты флэш-памяти с высокими требованиями к процессу.

Поскольку в этом году цены на память упали до конца, Samsung и SK Hynix приостановили свои планы по расширению. Недавние планы расширения Micron были запущены одновременно с целью завоевания доли рынка с помощью достаточной емкости и современных процессов в первые годы индустрии памяти.