GlobalFoundries: разработан чип 3D Arm в 12-нм пакете FinFET

Согласно зарубежным СМИ Tom's Hardware, GlobalFoundries объявили на этой неделе, что они успешно создали высокопроизводительные чипы 3DArm, используя 12-нм процесс FinFET.

«Эти 3D-чипы высокой плотности принесут новую производительность и энергоэффективность в вычислительные приложения, такие как AI / ML (искусственный интеллект и машинное обучение) и высококачественные мобильные и беспроводные решения для потребителей». сказал GlobalFoundries.

Согласно сообщениям, GlobalFoundries и Arm подтвердили правильность метода 3D-проектирования (DFT), используя гибридное межплатное соединение Groffont. Эта технология поддерживает до 1 миллиона 3D-соединений на квадратный миллиметр, что делает ее легко масштабируемой и, как ожидается, обеспечит более длительный срок службы микросхем 12nm3D.

Что касается технологии 3D-упаковки, Intel объявила о своем исследовании по укладке 3D-чипов в прошлом году. AMD также рассказала о решении наложения 3D DRAM и SRAM на свой чип.